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国内首家 掺铁 3英寸磷化铟单晶衬底 半导体基底材料 inp 3"
国内首家 掺铁 3英寸磷化铟单晶衬底 半导体基底材料 inp 3"图形转移到sio2中后,利用rie系统直接刻蚀inp材料.
图形转移到sio2中后,利用rie系统直接刻蚀inp材料.众铂*生产铟合金靶材_铟铅镉合金靶材inpbcd
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构造复杂,技术壁垒较高,是由大量光学材料和元器件组成的综合系统材料jphyschemlett┃inp量子点进展
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