林殷茵,李玟珍

cn102081963b_带mos电容的增益单元edram单元,存储器及制备方法失效
cn101325084b_对交叉型存储阵列提供动态电压偏置的方
cn101246740a_一种超低功耗非挥发静态随机存取存储单
cn1744295a_能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法失效
cn101159284a_一种自对准形成上电极的wox电阻存储器及其制造方法失效