半导体禁带宽度图,

三代半导体材料的物理特性对比 参数 si gaas gan sic 禁带宽度(ev)
以sic为例,相比传统的si半导体材料,sic拥有3倍的禁带宽度,3倍的热导
超宽禁带半导体氧化镓材料与器件专刊
学术点说,取决于价带和导带之间的禁带宽度
化合物半导体有几种常见晶格结构【相关词_ 化合物半导体】