相变存储器,存储器

2009 年基于 45nm 工艺制备1gb 相变存储器芯片; 2011 年发布第
中国科学家:3d xpoint其实就是相变存储器pcm
相变存储器
中国在电子存储器方面还是有许多值得人称道的地方,特别是相变存储器
cn101232038b_高密度相变存储器的结构与制备的工艺有效