什么是igbt igbt (insulated gate bipolar transistor,绝缘
根据中芯国际资料,蒋尚义曾参与研发cmos,nmos,bipolar,dmos,sos
5 % fsr dac 数量: 4 dac 极性: bipolar 产品类型
广东深圳 原装正品 32-qfn bipolar mmic hmc582lp5e 芯片 详细描述
能够在同一芯片上制作bipolar,cmos和dmos器件,1985年由意法半导体
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