报废晶圆(含碎片:背面蒸银硅片.
最大化晶圆产量以较小的力实现机械或激光剥离支持250-300℃的背面
晶圆背面
sic碳化硅晶圆代加工
中芯国际被卡背后海外半导体设备占比90仅10为国产
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